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              光电池的反向饱和电流怎么求,穿透电流与反向饱和电流的关系说明和解释

              时间:2023-02-07来源:www.ggzszs.cn

              is为pn结的反向饱和电流 , Ut=KT/q .公式推导根据PN结电流方程I=Is[exp(qVbe/KT)-1]。

               

              二极管的反向电流很小,常常称为截止电流。由于理想二极管的反向电流,例如不存在漏电流的Ge二极管的反向电流,该电流是少子的扩散电流,与反向电压无关,即是所谓“饱和”的(不随电压而改变),所以又称为反向饱和电流。

               

              反向饱和电流是发生在二极管中的由于施加电压产生的一种电流。电流的单位是安培。安培是国际单位制中表示电流的基本单位,简称安,符号A。为纪念法国物理学家安培而命名。


              光电池的反向饱和电流怎么求,穿透电流与反向饱和电流的关系说明和解释

               

              穿透电流与反向饱和电流的关系说明和解释

               

              反向饱和电流通常用来描述发射极开路时,集电极与基极之间的反向漏电流,即Icbo,实际上就是集电结的反向漏电流。

               

              穿透电流是基极开路,集电极与发射极之间的反向漏电流,即Iceo,也称集电极-发射极反向饱和电流。该电流由集电区穿过基区到达发射区,因此也称穿透电流。由于发射结此时处于正向状态,而晶体管的电流放大系数为β,所以集电极-发射极反向饱和电流并不是单纯的集电结反向饱和电流,而是Iceo=(1+β)×Icbo。


               

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